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I JFET (Field Effect Transistor, transistor a effetto di campo) sono componenti attivi con i quali è possibile realizzare amplificatori.
Il controllo sulla corrente di uscita avviene per mezzo di un campo elettrico prodotto dal segnale di ingresso col vantaggio di realizzare un'impedenza di ingresso pressoché infinita. Il cosiddetto effetto di campo si ottiene per mezzo di una giunzione PN polarizzata inversamente.
Sono ottenuti da una barretta di silicio drogato all'interno della quale viene realizzata una fascia fortemente drogata con tipo opposto. La struttura può , quindi, essere:
- canale N con barretta tipo N e fascia tipo P+
- canale P con barretta tipo P e fascia N+
Per capire il funzionamento del JFET si ricorre alla polarizzazione: nel caso a canale N si applica una tensione positiva al drain (VDD ) e si analizzano i parametri VDS e ID ponendo inizialmente V GS = 0 e poi a valori negativi.
Vp = VGS - VDS
Vp è detta tensione di pich-off chiamata anche VGS(off).
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Circuito ai piccoli segnali di un JFET
